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NTD5865NLT4G

发布时间：21-08-31 17:05
发布企业：百域芯科技

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NTD5865NLT4G

规格

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制造商:onsemi

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-4

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:46 A

Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Qg-栅极电荷:29 nC

比较小工作温度:- 55 C

比较大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

通道模式:Enhancement

封装:Reel

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

商标:onsemi

配置:Single

下降时间:4.4 ns

正向跨导 - 比较小值:15 S

产品类型:MOSFET

上升时间:12.4 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

晶体管类型:1 N-Channel

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:8.4 ns

单位重量:340 mg

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